Universiti Xidian Membangunkan LED Violet Fleksibel

Dec 05, 2019

Tinggalkan pesanan

Pencahayaan LED semikonduktor berasaskan GaN mempunyai kelebihan kecekapan tinggi, penjimatan tenaga, perlindungan alam sekitar, jangka hayat dan penyelenggaraan yang mudah. Ini adalah satu lagi revolusi pencahayaan dalam sejarah pencahayaan manusia berikutan lampu pijar dan pendarfluor. Dengan perkembangan teknologi yang dapat dipakai, teknologi semikonduktor fleksibel secara beransur-ansur akan menjadi arus perdana di masa depan, dan penyediaan GaN yang fleksibel telah menjadi pusat penyelidikan yang menarik perhatian antarabangsa hari ini.


Oleh kerana kos substrat nitrida bersaiz besar, filem nitrida biasanya ditanam secara epitax berdasarkan substrat bahan yang heterogen seperti nilam dan silikon. Terdapat ketidakcocokan kisi yang serius antara substrat kristal dan nitrida, yang menyebabkan tekanan besar pada filem nipis epitaxial GaN, dan menghasilkan sebilangan besar dislokasi penembusan, yang menyebabkan penurunan kecekapan bercahaya pada peranti LED. Oleh itu, penyediaan filem GaN dengan tekanan rendah dan berkualiti tinggi sangat penting untuk peningkatan prestasi LED.


Pada masa ini, teknologi pengangkatan laser adalah kaedah utama untuk menyediakan GaN yang fleksibel, tetapi pengagihan ketumpatan tenaga laser yang tidak rata menyebabkan penonjolan filem nipis GaN pecah, dan sukar untuk mendapatkan filem nipis GaN yang berterusan dan tidak merosakkan, yang secara serius menghalang pengembangan peranti fleksibel GaN. .


Pasukan ini mengkaji dan menemui mekanisme nukleasi selektif nitrida pada graphene, menemui tapak nukleasi terbaik dari AlN, dan berjaya menyiapkan lapisan epitaxial GaN berkualiti tinggi dan bebas tekanan. Dan dengan mengoptimumkan proses pengangkatan, pemindahan lapisan-lapisan epitaxial GaN dengan kerosakan besar, kawasan besar dicapai. Diod pemancar cahaya ungu yang disediakan berdasarkan bahan GaN fleksibel mencapai kuasa output cahaya ultra tinggi pada arus kecil. Hasil penyelidikan membuktikan kemungkinan pemindahan peel-off untuk mencapai pencahayaan dan LED fleksibel berasaskan GaN untuk mencapai struktur menegak berkualiti tinggi di masa depan.


Dari LEDInside

Hantar pertanyaan